NanoGen50 - универсальный источник наночастиц

Описание

Универсальный источник NanoGen50 предназначен для формирования не только металлических наночастиц, но и неметаллических. Процесс генерации наночастиц основан на газоконденсатном методе и обеспечивает образование наночастиц высокого уровня чистоты.

В модельной линейке источников наночастиц NanoGen используется технологическое решение «конденсации в газовой фазе». Для наночастиц, сгенерированных по данной технологии, характерно наличие дополнительного электронного заряда, благодаря чему обеспечивается легкость управления – наночастицы можно ускорять, фокусировать, отклонять.

К подложке наночастицы двигаются с определенным ускорением, величина которого дает возможность контролировать энергию их удара о поверхность подложки с высокой точностью. Это определяет уровень проникновения:

• при малых значениях ускорения (<<1eV на каждый атом) наночастицы осаждаются на поверхность подложки мягко, практически не подвергаясь деформации.
• если ускорение немного возрастает, в верхнем слое материала поверхности подложки образуется слой связанных наночастиц, благодаря их частичному проникновению.
• когда наночастицы движутся с достаточно высоким ускорением, они «плавятся» при ударе о поверхность подложки, поэтому образующаяся пленка аналогична получаемой методом обычного напыления.

Управление ускорением движения наночастиц дает возможность формировать структуры с различными свойствами, от пористых пленок и наноструктурированного порошкового покрытия до структурных кристаллических покрытий.

В комплект источника наночастиц NanoGen50 входит 2” магнетрон, в основу которого положен магнетронный источник серии CUSP. Источники такой конструкции отличаются отличным уровнем надежности и могут функционировать в условиях сверхвысокого вакуума.

Нитридные, гидридные, оксидные и другие сложные наночастицы можно генерировать за счет добавления в зону конденсации источника NanoGen50 активного газа в малых количествах. Парциальное давление активного газа можно регулировать и с его помощью формировать у получаемого материала необходимые физические свойства.

Применения

• Тонкопленочные солнечные элементы
• Высокоэффективные фотоэлектрические элементы
• Датчики газа
• Катализаторы
• Полупроводники
• Биопокрытия
• Медицинские устройства

Опции

• Охлаждение зоны конденсации жидким азотом
• Нестандартные апертуры под различные задачи
• Оптический эмиссионный мониторинг плазмы
• Ручная или моторизированная заслонка
• Автоматизация с помощью ПО

Технические характеристики

Модель	NanoGen50
Монтажный фланец	NW150CF
Длина в вакуумной камере	0 мм
Длина источника	300 мм
Размер формируемых кластеров	1-20 нм    (в зависимости от материала)
Разброс по размеру	+/- 15%    (в зависимости от потока/мощности)
Поток газа	5-100 ст.см3/мин Ar/He
Охлаждение	Водяное (0,5 л/мин) / LN2