Ионные источники

Описание

При выращивании тонкопленочных структур, а также при нанесении различных покрытий очень важным моментом является предварительная подготовка поверхности подложки.

Ионная очистка, наравне с химической отмывкой, является стандартным способом подготовки образцов.
Достаточно большим плюсом ионной очистки является возможность использования ионного источника как для подготовки поверхности (ряд работ посвященных ионной очистки подложек) так и в последующих ростовых процессах для ионного ассистирования (ряд работ посвященных ионному ассистированию).
 

Ионные источники серии RFMAX характеризуются высокой плотностью тока, обеспечивая при этом низкий уровень загрязнения. Это обеспечивается применением качественных материалов при изготовлении разрядной трубки, а также использованием контура водяного охлаждения источника.
Для ускорения ионного пучка используется двойная сетка. Её конфигурация рассчитана таким образом, чтобы свести к минимуму взаимодействие с пучком ионов на выходе, что в итоге даёт максимальную пропускную способность и большой срок эксплуатации самой сетки.
Также существует модификация ионного источника серии RFMAX, оснащённого нейтрализатором пучка.
 
Применения

• Ионная очистка
• Ионное ассистирование
• Тонкопленочные покрытия
• MEMS

Приложения

• Молекулярно-пучковая эпитаксия: оксиды, нитриды
• Импульсное лазерное напыление: нитриды
• МПЭ: разбавление соединений AIIIBIV нитридами
• МПЭ: легирование соединений AIIIBIV оксидами
• МПЭ: легирование соединений AIIBVI нитридами

Технические характеристики

Модель	RFMAX30	RFMAX60
Монтажный фланец	NW63CF	NW100CF
Мощность RF	100-300Вт	100-600Вт
Энергия пучка	0,1 - 1 кэВ	0,1 - 1 кэВ
Плотность тока	до 5мА/см2	до 6мА/см2
Диаметр в вакууме	57мм	96мм
Длина в вакууме   (стандартная)	290мм	290мм
Совместимые газы	O2, N2, H2, CH4...	O2, N2, H2, CH4...
Поток газа	8-10sccm	8-10sccm
Мин. охлаждение	Вода 0,5 л/мин	Вода 0,5 л/мин